技术指标
1.极限分辨率：≦0.12nm；2. 晶格分辨率：≦0.08nm；3. 加速电压：80KV-200KV，用户连续可调；4. 高压稳定性：≦1ppm/10min；5. 电子枪的类型：肖特基场发射电子枪；7. TEM放大系统，放大倍数：25-1500000倍；8. STEM放大倍数：150-230M倍；9. EDS最高耐热温度：≧1000℃；10. CMOS相机4kx4K 1600万像素。
主要应用
利用高分辨透射电子显微镜对金属熔体凝固过程中的形核界面进行研究，揭示其微观结构-性能关系，进而研发高性能的新型材料。
